An excess of electrons and holes in

An excess of electrons and holes in p- and n-type material. respectively, (referred to as minority carriers) is created in a semiconductor light source by carrier injection at the device contacts. The excess densities of electrons $n and
holes $p are equal, since the injected carriers are formed and recombine in pairs in accordance with the requirement for charge neutrality in the crystal. When carrier injection stops, the carrier density returns to the equilibrium value. In general, the excess carrier density decays exponentially with time

Hasil (Bahasa Indonesia) 2:

Kelebihan elektron dan lubang di bahan p dan tipe-n. masing-masing, (disebut sebagai pembawa minoritas) dibuat dalam cahaya semikonduktor sumber dengan injeksi pembawa pada kontak perangkat. Kepadatan kelebihan elektron $ n dan
lubang $ p adalah sama, karena operator disuntikkan terbentuk dan bergabung kembali di pasang sesuai dengan kebutuhan untuk biaya netralitas dalam kristal. Ketika injeksi pembawa berhenti, kepadatan pembawa kembali ke nilai ekuilibrium. Secara umum, kepadatan pembawa kelebihan meluruh secara eksponensial dengan waktu