The band-gap energy and lattice-con

The band-gap energy and lattice-constant rangc for the quaternary alloy InGaAsP are much larger, as shown by the shaded area in Fig. 4-13. These materials are generally grown on an InP substrate, so that lattice-matched configurations are obtained by selecting a compositional point along the top dashed line in Fig. 4-13, which passes through the lnP point, Along this line the compositional parameters x and y follow the relationship y = 2.20x with 0

Hasil (Bahasa Indonesia) 1:

Band-celah energi dan kisi-konstan rangc untuk paduan kuarter InGaAsP yang lebih besar, seperti yang ditunjukkan oleh daerah yang terbayang dalam gambar 4-13. Bahan-bahan ini umumnya tumbuh pada substrat InP, sehingga cocok kisi configurations yang diperoleh dengan memilih titik komposisi sepanjang atas garis putus-putus pada gambar 4-13, yang melewati titik lnP, sepanjang garis ini parameter komposisi x dan y mengikuti hubungan y = 2,20 x dengan 0

Hasil (Bahasa Indonesia) 2:

Energi band-gap dan rangc kisi-konstan untuk paduan kuaterner InGaAsP jauh lebih besar, seperti yang ditunjukkan oleh daerah yang diarsir pada Gambar. 4-13. Bahan-bahan ini umumnya tumbuh pada substrat InP, sehingga kisi-cocok con gurations fi diperoleh dengan memilih titik komposisi di bagian atas garis putus-putus pada Gambar. 4-13, yang melewati titik LNP, Sejalan dengan hal ini yang komposisi parameter x dan y ikuti hubungan y = 2.20x dengan 0