where 4n(x) is the density of the e

where 4n(x) is the density of the excess electrons per cubic centimeter at the position x in the active layer of thickness d as measured from the pn junction (sec Fig, 4-14). Assuming the same surface recombination velocity S at both heterointerfaces, the boundary conditions are

Hasil (Bahasa Indonesia) 1:

mana 4n(x) adalah rapatan elektron kelebihan per sentimeter kubik pada posisi x dalam lapisan aktif d sebagai ketebalan diukur dari persimpangan pn (sec ara, 4-14). Dengan asumsi kecepatan yang sama permukaan rekombinasi S di kedua heterointerfaces, kondisi batas yang

Hasil (Bahasa Indonesia) 2:

di mana 4n (x) adalah densitas elektron berlebih per sentimeter kubik pada posisi x pada lapisan aktif ketebalan d yang diukur dari pn (sec Gambar, 4-14). Dengan asumsi yang sama rekombinasi permukaan kecepatan S di kedua heterointerfaces, kondisi batas yang