Analogies are seldom perfect and at times can be misleading, but the w terjemahan - Analogies are seldom perfect and at times can be misleading, but the w Bahasa Indonesia Bagaimana mengatakan

Analogies are seldom perfect and at

Analogies are seldom perfect and at times can be misleading, but the water anal-
ogy of Fig. 5.3 does provide a sense for the JFET control at the gate terminal and the
appropriateness of the terminology applied to the terminals of the device. The source
of water pressure can be likened to the applied voltage from drain to source that will
establish a flow of water (electrons) from the spigot (source). The “gate,” through an
applied signal (potential), controls the flow of water (charge) to the “drain.” The drain
and source terminals are at opposite ends of the n-channel as introduced in Fig. 5.2
because the terminology is defined for electron flow.
VGS -
0 V, VDS Some Positive Value
In Fig. 5.4, a positive voltage VDS has been applied across the channel and the gate
has been connected directly to the source to establish the condition VGS -
0 V. The
result is a gate and source terminal at the same potential and a depletion region in the
low end of each p-material similar to the distribution of the no-bias conditions of Fig.
5.2. The instant the voltage VDD (-
VDS) is applied, the electrons will be drawn to
the drain terminal, establishing the conventional current ID with the defined direction
of Fig. 5.4. The path of charge flow clearly reveals that the drain and source currents
are equivalent (ID -
IS). Under the conditions appearing in Fig. 5.4, the flow of charge
is relatively uninhibited and limited solely by the resistance of the n-channel between
drain and source.
0/5000
Dari: -
Ke: -
Hasil (Bahasa Indonesia) 1: [Salinan]
Disalin!
Analogi jarang sempurna dan kadang-kadang dapat menyesatkan, tapi air dubur-Ogy gambar 5.3 memberikan rasa untuk kontrol JFET di gerbang terminal dankesesuaian dari terminologi diterapkan ke terminal perangkat. Sumberair tekanan dapat disamakan dengan tegangan dari cerat ke sumber yang akanmenetapkan sebuah aliran air (elektron) dari keran (source). "Gerbang," melaluiditerapkan sinyal (potensial), kontrol aliran air (charge) "drain." Salurandan sumber terminal di seberang ujung kanal-n seperti yang diperkenalkan dalam Fig. 5.2karena terminologi didefinisikan untuk aliran elektron.VGS- 0 V, VDS nilai positifDalam Fig. 5.4, tegangan positif VDS telah diterapkan di seluruh saluran dan gerbangtelah terhubung langsung ke sumber untuk menetapkan kondisi VGS- 0 V.Hasilnya adalah sebuah gerbang dan sumber terminal potensi yang sama dan daerah pemiskinan diakhir rendah masing-masing p-bahan mirip dengan distribusi kondisi no-bias ara.5.2. instan tegangan VDD (- VDS) adalah diterapkan, elektron-elektron akan ditarik untukcerat, mendirikan ID arus konvensional dengan arah didefinisikandari gambar 5.4. Jalur aliran muatan dengan jelas mengungkapkan bahwa arus cerat dan sumbersetara (ID- ADALAH). Di bawah kondisi yang muncul dalam Fig. 5.4, aliran biayarelatif tanpa hambatan dan terbatas hanya oleh resistansi kanal-n antaraTiriskan dan sumber.
Sedang diterjemahkan, harap tunggu..
Hasil (Bahasa Indonesia) 2:[Salinan]
Disalin!
Analogi jarang sempurna dan kadang-kadang bisa menyesatkan, tapi air anal-
ogy Gambar. 5.3 tidak memberikan rasa untuk kontrol JFET di terminal gerbang dan
kesesuaian terminologi diterapkan pada terminal perangkat. Sumber
tekanan air dapat disamakan dengan tegangan yang diberikan dari drain ke sumber yang akan
membentuk aliran air (elektron) dari keran (sumber). "Gerbang," melalui
sinyal diterapkan (potensial), mengontrol aliran air (charge) kepada "tiriskan." Drain
dan Sumber terminal yang di ujung-ujung saluran-n seperti yang diperkenalkan pada Gambar. 5.2
karena terminologi didefinisikan untuk aliran elektron.
VGS -
0 V, VDS Beberapa Positif Nilai
Pada Gambar. 5.4, ​​tegangan positif VDS telah diterapkan di seluruh saluran dan pintu gerbang
telah terhubung langsung ke sumber untuk membangun kondisi VGS -
0 V.
Hasilnya adalah gerbang dan sumber terminal pada potensial yang sama dan daerah penipisan di
rendah akhir setiap p-bahan yang mirip dengan distribusi kondisi tanpa bias Gambar.
5.2. Begitu tegangan VDD (-
VDS) diterapkan, elektron akan tertarik ke
terminal drain, membangun arus ID konvensional dengan arah yang ditetapkan
pada Gambar. 5.4. Jalur aliran muatan jelas mengungkapkan bahwa drain dan sumber arus
setara (ID -
IS). Di bawah kondisi yang muncul pada Gambar. 5.4, ​​aliran biaya
relatif tanpa hambatan dan dibatasi hanya oleh hambatan dari saluran n antara
drain dan source.
Sedang diterjemahkan, harap tunggu..
 
Bahasa lainnya
Dukungan alat penerjemahan: Afrikans, Albania, Amhara, Arab, Armenia, Azerbaijan, Bahasa Indonesia, Basque, Belanda, Belarussia, Bengali, Bosnia, Bulgaria, Burma, Cebuano, Ceko, Chichewa, China, Cina Tradisional, Denmark, Deteksi bahasa, Esperanto, Estonia, Farsi, Finlandia, Frisia, Gaelig, Gaelik Skotlandia, Galisia, Georgia, Gujarati, Hausa, Hawaii, Hindi, Hmong, Ibrani, Igbo, Inggris, Islan, Italia, Jawa, Jepang, Jerman, Kannada, Katala, Kazak, Khmer, Kinyarwanda, Kirghiz, Klingon, Korea, Korsika, Kreol Haiti, Kroat, Kurdi, Laos, Latin, Latvia, Lituania, Luksemburg, Magyar, Makedonia, Malagasi, Malayalam, Malta, Maori, Marathi, Melayu, Mongol, Nepal, Norsk, Odia (Oriya), Pashto, Polandia, Portugis, Prancis, Punjabi, Rumania, Rusia, Samoa, Serb, Sesotho, Shona, Sindhi, Sinhala, Slovakia, Slovenia, Somali, Spanyol, Sunda, Swahili, Swensk, Tagalog, Tajik, Tamil, Tatar, Telugu, Thai, Turki, Turkmen, Ukraina, Urdu, Uyghur, Uzbek, Vietnam, Wales, Xhosa, Yiddi, Yoruba, Yunani, Zulu, Bahasa terjemahan.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: