At longer wavelengths the quaternar

At longer wavelengths the quaternary alloy In1-xGaxAsyPl-y is one of the primary material candidates. By varying the mole fractions x and y in the active area LEDs with peak output powers at any wavelength between 1.0 and 1-7 um can be Constructed. For simplicity the notations GaAlAs and InGaAsP are generally used unless there is an explicit need to know the values of x and y. Other notations such as AlGaAs, (Al.Ga)As. (G-aAl)As, GalnPAs, and
In1-xGaxAsyPl-y are also found in the literature. From the last notation it is obvious that depending on the preference of the particular author, the values of X and 1 — x for the same material could be interchanged in ditferent articles in
the literature. the alloy GaAlAs and lnGaAsP are chosen to make semiconductor light sources because it is possible to match the lattice parameters of the heterostructure interfaces by using a proper combination of binary, ternary, and quaternary materials. A very close match between the crystal lattice parameters of the two
adjoining lteterojunctions is required to reduce interfacial defects and to mini mize strains in the device as the temperature varies. These factors directly affect the radiative efficiency and lifetime of a light source. Using the fundamental quantum-mechanical relationship between energy E and frequency v

Hasil (Bahasa Indonesia) 2:

Pada panjang gelombang lagi paduan kuaterner IN1-xGaxAsyPl-y adalah salah satu kandidat bahan utama. Dengan memvariasikan mol fraksi x dan y di LED area aktif dengan kekuatan output puncak pada setiap panjang gelombang antara 1,0 dan 1-7 um dapat Dibangun. Untuk kesederhanaan notasi GaAlAs dan InGaAsP umumnya digunakan kecuali ada kebutuhan eksplisit untuk mengetahui nilai-nilai x dan y. Notasi lain seperti AlGaAs, (Al.Ga) As. (G-AAL) As, GalnPAs, dan
IN1-xGaxAsyPl-y juga ditemukan dalam literatur. Dari notasi terakhir jelas bahwa tergantung pada preferensi penulis tertentu, nilai-nilai X dan 1 - x untuk bahan yang sama bisa dipertukarkan dalam artikel ditferent di
literatur. yang GaAlAs paduan dan lnGaAsP dipilih untuk membuat sumber cahaya semikonduktor karena mungkin untuk mencocokkan parameter kisi antarmuka heterostructure dengan menggunakan kombinasi yang tepat dari biner, terner, dan bahan kuarterner. Sebuah pertandingan yang sangat erat antara parameter kisi kristal dari dua
lteterojunctions sebelah diperlukan untuk mengurangi cacat antarmuka dan strain mize Mini dalam perangkat karena suhu bervariasi. Faktor-faktor ini secara langsung mempengaruhi efisiensi radiasi dan seumur hidup dari sumber cahaya. Menggunakan hubungan mekanika kuantum mendasar antara energi E dan frekuensi v