FIGURE [3] OMITTEDThe total density

FIGURE [3] OMITTED

The total density of states (DOS) and partial density of states (pDOS) calculated using DFT and DFT + U are provided in Figure 4. In these plots the highest occupied band energy is scaled to 0 eV. A small peak around 0 eV is due to the presence of a hole state created by Cu vacancy. Here, it is important to provide rationale for the application of DFT + U to open band gap compared to DFT. In pristine [Cu.sub.2]S, Cu 3D bands are expected to be fully occupied ([3d.sup.10]); hence the application of U to such fully occupied band cannot open up a gap between occupied and unoccupied 3D band as a direct consequence as discussed earlier; rather it changes the energy of 3d band's position and increases its localization. Application of U in such case changes the hybridization of Cu 3d band with other bands, and hence given favorable condition can open up a band gap. We see a prominent peak at around -13.8 eV (DFT) and -13.1 eV (DFT + U) which is mainly due to low lying S s-band (not shown in pDOS). This shift is due to the change in hybridization as the Cu-d band became more localized with the application if U potential. This can be justified by the fact that the width of the valence band has been reduced by 0.9 eV due to the application of DFT + UtSuchresults clearlyindicatethe localization effectof Cu-d electrons in [Cu.sub.1.98]S. As the Cu-d band lowers in energy compared to the scenario where U was not applied, the top of the valence band is no longer dominated by Cu-d. As an additional effect, lowering of 3D band's energy also lowers the valence band maximum (VBM), even though the feature of the top three bands remained almost the same as seen in Figure 3. Hence an increasing value of U lowers the position of VBM as well. The p-dos plots show that there is more dominance of S-p-band at conduction bands especially after including the correlation term. The latter seems more realistic as Cu-d-band being fully occupied has no empty band for electrons. The presence of Cu-d-band and S-p-band at the valence band and conduction band is suitable for p-d optical transition which is beneficial from photoconductivity point of view.

Hasil (Bahasa Indonesia) 1:

GAMBAR [3] DIHILANGKANRapatan Serikat (DOS) dan parsial kepadatan Serikat (pDOS) yang dihitung dengan menggunakan DFT dan DFT + Anda disediakan pada gambar 4. Dalam plot ini energi diduduki band tertinggi diskala untuk 0 eV. Kecil puncak sekitar 0 eV adalah karena adanya keadaan lubang yang dibuat oleh Cu Lowongan. Di sini, sangat penting untuk memberikan alasan untuk aplikasi DFT + Anda untuk membuka kesenjangan band dibandingkan dengan DFT. Di murni [Cu.sub.2]S, Cu 3D band yang diharapkan akan sepenuhnya diduduki ([3d.sup.10]); maka aplikasi Anda untuk band sepenuhnya diduduki tersebut tidak dapat membuka kesenjangan antara diduduki dan kosong 3D band sebagai konsekuensi langsung seperti yang dibahas sebelumnya; Sebaliknya itu perubahan energi dari posisi 3d band dan meningkatkan lokalisasi. Aplikasi u dalam hal perubahan hibridisasi Cu 3d band dengan band lain, dan kondisi menguntungkan maka tertentu dapat membuka celah band. Kita melihat puncak terkemuka di sekitar-13.8 eV (DFT) dan-13.1 eV (DFT + U) yang terutama disebabkan oleh rendah berbaring S s-band (tidak ditampilkan dalam pDOS). Pergeseran ini adalah akibat perubahan hibridisasi sebagai band Cu-d menjadi lebih lokal dengan aplikasi jika U potensi. Ini dapat dibenarkan oleh fakta bahwa lebar valence band telah berkurang oleh 0.9 eV karena penerapan DFT + UtSuchresults clearlyindicatethe lokalisasi effectof Cu-d elektron dalam [Cu.sub.1.98]S. Sebagai band Cu-d menurunkan energi dibandingkan dengan skenario yang mana U tidak diterapkan, Bagian atas valence band tidak lagi didominasi oleh Cu-d. Sebagai efek tambahan, juga menurunkan energi 3D band menurunkan valence band maksimum (VBM), meskipun fitur tiga band tetap hampir sama seperti yang terlihat dalam gambar 3. Maka nilai meningkat U menurunkan posisi VBM serta. Plot p-dos menunjukkan bahwa ada lebih banyak dominasi S-p-band di band konduksi terutama setelah termasuk istilah korelasi. Yang terakhir tampaknya lebih realistis Cu-d-band yang sepenuhnya diduduki memiliki band tidak kosong untuk elektron. Kehadiran Cu-d-band dan S-p-band di valence band dan konduksi band ini cocok untuk p-d transisi optik yang bermanfaat dari photoconductivity sudut pandang.