For operation in the 800- to 900-nm

For operation in the 800- to 900-nm spectrum the principal material used is the ternary alloy Ga1-x_AlxAs. The ratio x of aluminum arsenide to gallium arsenide determines the band gap of the alloy and, correspondingly, the wavelength of the peak emitted radiation. This is illustrated in Figure 4-11. The value of x for the active-area material is usually chosen to give an emission wavelength of 800 to 850 nm. An example of the emission spectrum of a Ga1-xAlxAs LED with x = 0.08 is shown in Fig. 4-12. The peak output power occurs at 810 nm and the half-power spectral width @a is 36 nm.

Hasil (Bahasa Indonesia) 1:

Untuk operasi di 800-900-nm spektrum bahan utama yang digunakan adalah paduan terner Ga1-x_AlxAs. Rasio x dari aluminium arsenide untuk gallium arsenide menentukan kesenjangan band paduan dan, sejalan dengan itu, panjang gelombang puncak dipancarkan radiasi. Ini diilustrasikan pada gambar 4-11. Nilai x untuk bahan aktif-daerah biasanya memilih untuk memberikan panjang gelombang emisi 800 hingga 850 nm. Contoh dari spektrum emisi LED Ga1-xAlxAs dengan x = 0,08 ditunjukkan dalam gambar 4-12. Puncak daya keluaran terjadi di 810 nm dan setengah-power spektrum lebar @a adalah 36 nm.

Hasil (Bahasa Indonesia) 2:

Untuk operasi pada spektrum 800 900-nm bahan utama yang digunakan adalah paduan terner GA1-x_AlxAs. Rasio x aluminium arsenide gallium arsenide untuk menentukan celah pita alloy dan, dengan demikian, panjang gelombang puncak memancarkan radiasi. Hal ini diilustrasikan pada Gambar 4-11. Nilai x untuk bahan aktif-daerah biasanya dipilih untuk memberikan panjang gelombang emisi 800 sampai 850 nm. Contoh dari spektrum emisi dari GA1-xAlxAs LED dengan x = 0,08 ditunjukkan pada Gambar. 4-12. Daya output puncak terjadi pada 810 nm dan setengah-spektral daya lebara 36 nm.