The semiconductor material that is

The semiconductor material that is used for the active layer of an optical source must have a direct band gap. In a direct-band-gap semiconductor electrons and holes can recombine directly across the band gap without needing a third particle to conserve momentum. Only in direct-band-gap material is the radiative recombination sufficiently high to produce an adequate level of optical emission. Although none of the normal single-element semiconductors are direct-gap materials, many binary compounds are. The most important of these are the so-called III-V materials. These are made from compounds of a group III element (such as AI, Ga, or In) and a group V element (such as P, As, or Sb). Various ternary and quaternary combinations of binary compounds of these elements are also direct-gap materials and are suitable candidates for optical sources

Hasil (Bahasa Indonesia) 1:

Bahan semikonduktor yang digunakan untuk lapisan aktif sumber Optic pasti mempunyai celah band langsung. Dalam celah-jalur-langsung semikonduktor elektron maupun lubang elektron dapat recombine tepat di seberang kesenjangan band tanpa perlu partikel ketiga untuk melestarikan momentum. Hanya dalam celah-jalur-langsung bahan adalah sufficiently rekombinasi radiasi yang tinggi untuk menghasilkan emisi optik yang memadai. Meskipun tidak ada biasa satu-elemen semikonduktor yang langsung-celah bahan, yang banyak senyawa biner. Yang paling penting ini merupakan bahan III-V disebut. Ini terbuat dari senyawa elemen III kelompok (misalnya sebagai AI, Ga, atau dalam) dan elemen kelompok V (seperti P, atau Sb). Berbagai kombinasi terner dan kuarter biner senyawa elemen ini juga langsung-celah bahan dan calon yang cocok untuk sumber-sumber optik

Hasil (Bahasa Indonesia) 2:

Bahan semikonduktor yang digunakan untuk lapisan aktif sumber optik harus memiliki band gap langsung. Dalam direct-band-gap semikonduktor elektron dan lubang dapat bergabung langsung di celah pita tanpa perlu partikel ketiga untuk menghemat momentum. Hanya dalam bahan langsung band-gap adalah radiasi rekombinasi suf fi sien tinggi untuk menghasilkan tingkat yang memadai emisi optik. Meskipun tidak ada yang normal semikonduktor tunggal-unsur adalah bahan langsung gap, banyak senyawa biner. Yang paling penting dari ini adalah apa yang disebut bahan III-V. Ini terbuat dari senyawa unsur kelompok III (seperti AI, Ga, atau In) dan kelompok V elemen (seperti P, As, Sb atau). Berbagai kombinasi terner dan kuartener senyawa biner dari elemen ini juga bahan langsung kesenjangan dan kandidat yang cocok untuk sumber optik